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发明授权
US08633567B2 Devices including a P-I-N diode disposed adjacent a silicide in series with a dielectric material 有权
包括与电介质材料串联的邻近硅化物的P-I-N二极管的器件

  • 专利标题： Devices including a P-I-N diode disposed adjacent a silicide in series with a dielectric material
  • 专利标题（中）： 包括与电介质材料串联的邻近硅化物的P-I-N二极管的器件
  • 申请号： US13705227
    申请日： 2012-12-05
  • 公开(公告)号： US08633567B2
    公开(公告)日： 2014-01-21
  • 发明人: Scott Brad Herner
  • 申请人： SanDisk 3D LLC
  • 申请人地址： US CA Milpitas
  • 专利权人： SanDisk 3D LLC
  • 当前专利权人： SanDisk 3D LLC
  • 当前专利权人地址： US CA Milpitas
  • 代理机构： Dugan & Dugan, PC
  • 主分类号： H01L29/00
  • IPC分类号： H01L29/00
Devices including a P-I-N diode disposed adjacent a silicide in series with a dielectric material
摘要：
A device is provided that includes a vertically oriented p-i-n diode that includes semiconductor material, a silicide, germanide, or silicide-germanide layer disposed adjacent the vertically oriented p-i-n diode, and a dielectric material arranged electrically in series with the vertically oriented p-i-n diode. The dielectric material is disposed between a first conductive layer and a second conductive layer, and is selected from the group consisting of HfO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, La2O3, Ta2O5, RuO2, ZrSiOx, AlSiOx, HfSiOx, HfAlOx, HfSiON, ZrSiAlOx, HfSiAlOx, HfSiAlON, and ZrSiAlON. Numerous other aspects are provided.
摘要（中）：

提供了一种器件，其包括垂直取向的p-i-n二极管，其包括邻近垂直取向的p-i-n二极管设置的半导体材料，硅化物，锗化物或硅化物 - 锗化物层，以及与垂直取向的p-i-n二极管串联布置的电介质材料。 介电材料设置在第一导电层和第二导电层之间，选自HfO 2，Al 2 O 3，ZrO 2，TiO 2，La 2 O 3，Ta 2 O 5，RuO 2，ZrSiO x，AlSiO x，HfSiO x，HfAlO x，HfSiON，ZrSiAlO x， HfSiAlOx，HfSiAlON和ZrSiAlON。 提供了许多其他方面。

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