发明授权
- 专利标题： Titanium-containing precursors for vapor deposition
- 专利标题（中）： 用于气相沉积的含钛前体
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申请号： US13772737申请日： 2013-02-21
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公开(公告)号： US08633329B2公开(公告)日： 2014-01-21
- 发明人: Venkateswara R. Pallem , Christian Dussarrat
- 申请人： American Air Liquide, Inc.
- 申请人地址： US CA Fremont
- 专利权人： American Air Liquide, Inc.
- 当前专利权人： American Air Liquide, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Fremont
- 代理商 Patricia E. McQueeney
- 主分类号： C23C16/30
- IPC分类号： C23C16/30 ; C23C16/22 ; C23C16/16 ; H01L21/205
摘要：
Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The compounds may be used to deposit titanium, titanium oxide, strontium-titanium oxide, and barium strontium titanate containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
公开/授权文献
- US20130164947A1 TITANIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION 公开/授权日：2013-06-27
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