发明授权
- 专利标题： Nonvolatile memory device and method of programming the same
- 专利标题（中）： 非易失存储器件及其编程方法
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申请号： US12826064申请日： 2010-06-29
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公开(公告)号： US08270215B2公开(公告)日： 2012-09-18
- 发明人: Byoung Sung You , Jin Su Park , Seong Je Park
- 申请人： Byoung Sung You , Jin Su Park , Seong Je Park
- 申请人地址： KR Icheon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Icheon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Lowe Hauptman Ham & Berner, LLP
- 优先权： KR10-2009-0058464 20090629
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
In a nonvolatile memory device, a cache program operation for the next data is performed in a first latch, and a verification program operation for the current data is performed using a second latch. Thus, data collision can be avoided and execution time can be reduced.
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