发明授权
- 专利标题： Adjusting for charge loss in a memory
- 专利标题（中）： 调整存储器中的电荷损失
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申请号： US12763613申请日： 2010-04-20
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公开(公告)号： US08174887B2公开(公告)日： 2012-05-08
- 发明人: Frankie F. Roohparvar
- 申请人： Frankie F. Roohparvar
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Leffert Jay & Polglaze, P.A.
- 主分类号： G11C16/06
- IPC分类号： G11C16/06
摘要：
Memory and methods of operating a memory adjusting an output voltage of an analog storage device, such as a data cache capacitor holding a voltage level representative of data, in response to an estimated charge loss are useful for compensating for the effects of charge leakage from the analog storage devices.
公开/授权文献
- US20100202202A1 ADJUSTING FOR CHARGE LOSS IN A MEMORY 公开/授权日：2010-08-12
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