发明授权
US07977718B2 Image sensor photodiodes using a multi-layer substrate and contact method and structure thereof
有权
使用多层基板的图像传感器光电二极管及其接触方法和结构
- 专利标题： Image sensor photodiodes using a multi-layer substrate and contact method and structure thereof
- 专利标题（中）： 使用多层基板的图像传感器光电二极管及其接触方法和结构
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申请号： US12686977申请日： 2010-01-13
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公开(公告)号： US07977718B2公开(公告)日： 2011-07-12
- 发明人: Robert Steven Hannebauer
- 申请人： Robert Steven Hannebauer
- 申请人地址： CA Vancouver KR Daejeon-Si
- 专利权人： Lumiense Photonics, Inc.,Hanvision Co., Ltd.
- 当前专利权人： Lumiense Photonics, Inc.,Hanvision Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： CA Vancouver KR Daejeon-Si
- 代理机构： Brinks Hofer Gilson & Lione
- 优先权： KR10-2005-0085417 20050913; KR10-2006-0042002 20060510
- 主分类号： H01L31/113
- IPC分类号： H01L31/113
摘要：
The present invention relates to a photodiode of an image sensor using a three-dimensional multi-layer substrate, and more particularly, to a method of implementing a buried type photodiode and a structure thereof, and a trench contact method for connecting a photodiode in a multi-layer substrate and a transistor for signal detection.
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