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US07972874B2 Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions 有权
包括可变离子注入条件的半导体工艺评估方法

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions
摘要：
Semiconductor process evaluation methods perform multiple scans of a test semiconductor substrate (e.g., test wafer) using ion beams under different ion implanting conditions. Parameters of the test semiconductor substrate that was scanned using the ion beams under different ion implanting conditions are then measured to conduct the semiconductor process evaluation.
摘要（中）：

半导体工艺评估方法在不同离子注入条件下使用离子束进行测试半导体衬底（例如，测试晶片）的多次扫描。 然后测量在不同离子注入条件下使用离子束扫描的测试半导体衬底的参数，以进行半导体工艺评估。

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