发明授权
- 专利标题： Semiconductor photoelectrode, method for manufacturing the same, and light energy converting device
- 专利标题（中）： 半导体光电极，其制造方法和光能转换装置
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申请号： US11911977申请日： 2006-03-29
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公开(公告)号： US07961452B2公开(公告)日： 2011-06-14
- 发明人: Takashi Oi , Yasukazu Iwasaki , Kazuhiro Sayama
- 申请人： Takashi Oi , Yasukazu Iwasaki , Kazuhiro Sayama
- 申请人地址： JP Yokohama-shi
- 专利权人： Nissan Motor Co., Ltd.
- 当前专利权人： Nissan Motor Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Yokohama-shi
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP2005-123629 20050421
- 国际申请： PCT/JP2006/306465 WO 20060329
- 国际公布： WO2006/114972 WO 20061102
- 主分类号： H01L31/0236
- IPC分类号： H01L31/0236 ; H01L31/18 ; H01L31/20
摘要：
The semiconductor photoelectrode of the present invention includes a metallic substrate having irregularities in a surface and a semiconductor layer which is formed on the surface of the metallic substrate and composed of a photocatalytic material. This can increase the light absorption efficiency and, furthermore, prevent recombination of charges.
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