发明授权
- 专利标题： Internal source voltage generation circuit and generation method thereof
- 专利标题（中）： 内部源电压产生电路及其生成方法
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申请号： US12492604申请日： 2009-06-26
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公开(公告)号： US07924649B2公开(公告)日： 2011-04-12
- 发明人: Jae-Boum Park
- 申请人： Jae-Boum Park
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2009-0038529 20090430
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00
摘要：
An internal source voltage generation circuit includes main source voltage driving means configured to drive an internal source voltage terminal to a predetermined voltage level; and additional source voltage driving means configured to additionally drive the internal source voltage terminal in response to a data strobe signal.
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