发明授权
- 专利标题： Non-volatile resistance switching memory
- 专利标题（中）： 非易失性电阻切换存储器
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申请号： US12540949申请日： 2009-08-13
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公开(公告)号： US07923263B2公开(公告)日： 2011-04-12
- 发明人: Rolf Allenspach , Johannes G. Bednorz , Gerhard Ingmar Meijer , Chung Hon Lam , Richard Stutz , Daniel Widmer
- 申请人： Rolf Allenspach , Johannes G. Bednorz , Gerhard Ingmar Meijer , Chung Hon Lam , Richard Stutz , Daniel Widmer
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理商 Michael J. Buchenhorner; Vazken Alexanian
- 优先权： EP04405239 20040416
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A microelectronic device or non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. A process includes a step of depositing the switching material by a CMOS deposition technique at a temperature lower than 400° C.
公开/授权文献
- US20090308313A1 NON-VOLATILE RESISTANCE SWITCHING MEMORY 公开/授权日：2009-12-17
信息查询
IPC分类:
