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Invention Grant
US07790606B2 Method of forming an interconnect structure 有权
形成互连结构的方法

  • Patent Title: Method of forming an interconnect structure
  • Patent Title (中): 形成互连结构的方法
  • Application No.: US12444677
    Application Date: 2007-10-05
  • Publication No.: US07790606B2
    Publication Date: 2010-09-07
  • Inventor: Roel Daamen
  • Applicant: Roel Daamen
  • Applicant Address: NL Eindhoven
  • Assignee: NXP B.V.
  • Current Assignee: NXP B.V.
  • Current Assignee Address: NL Eindhoven
  • Priority: EP06122003 20061009
  • International Application: PCT/IB2007/054070 WO 20071005
  • International Announcement: WO2008/044181 WO 20080417
  • Main IPC: H01L21/4763
  • IPC: H01L21/4763
Method of forming an interconnect structure
Abstract:
A method of forming an interconnect structure in a semiconductor device in which via holes (62) defined in a dielectric layer are filled with a filler material (64), such as a porogen material, before a further dielectric layer (66) is deposited thereover. Trenches (72) are formed in the further dielectric layer and then the filler material exposed thereby in the via holes is removed. The method provides a robust process which affords improved via and trench profile control.
Abstract(Chinese):

在半导体器件中形成互连结构的方法，其中在介质层（62）中限定的通孔（62）填充有诸如致孔剂材料的填充材料（64），之后在其上沉积另外的电介质层（66） 。 沟槽（72）形成在另外的电介质层中，然后去除在通孔中暴露的填充材料。 该方法提供了一个强大的过程，它提供改进的通孔和沟槽轮廓控制。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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