发明授权
- 专利标题： Method for manufacturing flat substrates
- 专利标题（中）： 平面基板的制造方法
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申请号： US11427048申请日： 2006-06-28
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公开(公告)号： US07514374B2公开(公告)日： 2009-04-07
- 发明人: Hai Tran Quoc , Jérôme Villette
- 申请人： Hai Tran Quoc , Jérôme Villette
- 申请人地址： CH Trubbach
- 专利权人： Oerlikon Trading AG, Trubbach
- 当前专利权人： Oerlikon Trading AG, Trubbach
- 当前专利权人地址： CH Trubbach
- 代理机构： Pearne & Gordon LLP
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/469
摘要：
For avoiding the metallic inner surface of a PECVD reactor to influence thickness uniformity and quality uniformity of a μc-Si layer (19) deposited on a large-surface substrate, (15) before each substrate is single treated at least parts of the addressed wall are precoated with a dielectric layer (13).
公开/授权文献
- US20070004220A1 METHOD FOR MANUFACTURING FLAT SUBSTRATES 公开/授权日：2007-01-04
信息查询
IPC分类:
