发明授权
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： US11459508申请日： 2006-07-24
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公开(公告)号： US07462892B2公开(公告)日： 2008-12-09
- 发明人: Ichiro Hase , Ken Sawada , Masaya Uemura
- 申请人： Ichiro Hase , Ken Sawada , Masaya Uemura
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Sonnenschien Nath & Rosenthal LLP
- 优先权： JP2005-215477 20050726
- 主分类号： H01L27/082
- IPC分类号： H01L27/082
摘要：
A semiconductor device includes an emitter layer: a base layer; and a collector layer, wherein the collector layer and the emitter layer each include a heavily doped thin sublayer having a high impurity concentration, and each of the heavily doped thin sublayers has an impurity concentration higher than those of semiconductor layers adjacent to each heavily doped thin sublayer.
公开/授权文献
- US20070023783A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2007-02-01
信息查询
IPC分类:
