发明授权
- 专利标题： Zinc oxide semiconductor material
- 专利标题（中）： 氧化锌半导体材料
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申请号： US10239833申请日： 2000-03-27
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公开(公告)号： US06936188B1公开(公告)日： 2005-08-30
- 发明人: Koichi Haga
- 申请人： Koichi Haga
- 申请人地址： JP JP
- 专利权人： Tohoku Techno Arch Co., Ltd.,Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人： Tohoku Techno Arch Co., Ltd.,Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP JP
- 代理机构： Hayes Soloway P.C.
- 国际申请： PCT/JP00/01875 WO 20000327
- 国际公布： WO01/73170 WO 20011004
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; H01G9/20 ; H01L33/28 ; H01L27/15 ; H01L29/12 ; C09K11/08 ; C30B1/00
摘要：
A zinc oxide semiconductor material comprising at least zinc and oxygen as constituent elements, which can be deterred with respect to the deterioration of doping characteristic, luminous characteristic and the like, compared with a conventional c-axial oriented one by orienting the crystal orientation plane to a-axis of the wurtzite structure.
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