发明授权
- 专利标题： Stacked capacitor process using silicon nodules
- 专利标题（中）： 堆叠电容器工艺使用硅结节
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申请号： US214593申请日： 1994-03-18
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公开(公告)号： US5492848A公开(公告)日： 1996-02-20
- 发明人: Water Lur , Jiunn-Yuan Wu , Cheng-Hen Huang
- 申请人： Water Lur , Jiunn-Yuan Wu , Cheng-Hen Huang
- 申请人地址： TWX Hsin-Chu
- 专利权人： United Microelectronics Corp.
- 当前专利权人： United Microelectronics Corp.
- 当前专利权人地址： TWX Hsin-Chu
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L21/70 ; H01L27/00
摘要：
A technique for making a MOST capacitor for use in a DRAM cell utilizes silicon nodules after metal etching. The silicon nodules are used as a mask to selectively form deep grooves in a polysilicon electrode of the capacitor.
公开/授权文献
- US4823418A Birth safety net 公开/授权日：1989-04-25
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IPC分类:
