发明授权
US5291536A X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method
失效
X射线掩模，其制造方法和图案形成方法
- 专利标题： X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method
- 专利标题（中）： X射线掩模，其制造方法和图案形成方法
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申请号： US900494申请日： 1992-06-18
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公开(公告)号： US5291536A公开(公告)日： 1994-03-01
- 发明人: Masamitsu Itoh , Shinji Sugihara , Ken-ichi Murooka
- 申请人： Masamitsu Itoh , Shinji Sugihara , Ken-ichi Murooka
- 申请人地址： JPX Kawasaki
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
- 优先权： JPX3-154921 19910626; JPX4-071379 19920327
- 主分类号： G03F1/22
- IPC分类号： G03F1/22 ; H01L21/027 ; G03C5/00
摘要：
A method for forming an X-ray exposure mask having an X-ray permeable film with a high visible-light transmissivity. The method includes the steps of forming an aluminum oxide anti-reflective film on an x-ray permeable film, placing an x-ray absorber on the anti-reflective film and etching with the x-ray absorber to form x-ray pattern.
公开/授权文献
- US4269173A System for mounting solar collector panels 公开/授权日：1981-05-26
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