发明授权
US5186745A TEOS based spin-on-glass and processes for making and using the same 失效
基于TEOS的旋转玻璃及其制造和使用的方法

  • 专利标题: TEOS based spin-on-glass and processes for making and using the same
  • 专利标题(中): 基于TEOS的旋转玻璃及其制造和使用的方法
  • 申请号: US650119
    申请日: 1991-02-04
  • 公开(公告)号: US5186745A
    公开(公告)日: 1993-02-16
  • 发明人: Papu D. Maniar
  • 申请人: Papu D. Maniar
  • 申请人地址: IL Schaumburg
  • 专利权人: Motorola, Inc.
  • 当前专利权人: Motorola, Inc.
  • 当前专利权人地址: IL Schaumburg
  • 主分类号: H01L21/312
  • IPC分类号: H01L21/312 H01L21/316 H01L23/31 H01L23/532
TEOS based spin-on-glass and processes for making and using the same
摘要:
In on form, a TEOS based spin-on-glass is made having on the order of 10% to 25% by volume of tetraethylorthosilicate, the equivalent of on the order of 0.1% to 3.0% by volume of 70% concentrated nitric acid, on the order of 60% to 90% by volume of alcohol, and the balance water. The spin-on-glass is applied to a semiconductor substrate and heated in order to densify the spin-on-glass.
公开/授权文献
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入H01L21/28)
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的(密封层入H01L21/56);以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/312 ......有机层,例如光刻胶(H01L21/3105、H01L21/32优先)
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