发明授权
- 专利标题： Diffusion barrier for thin film hybrid circuits
- 专利标题（中）： 薄膜混合电路的扩散势垒
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申请号： US435928申请日： 1989-11-13
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公开(公告)号： US5041191A公开(公告)日： 1991-08-20
- 发明人: James C. Watson
- 申请人： James C. Watson
- 申请人地址： CA El Segundo
- 专利权人： Rockwell International Corporation
- 当前专利权人： Rockwell International Corporation
- 当前专利权人地址： CA El Segundo
- 主分类号： C23F1/38
- IPC分类号： C23F1/38 ; H01C17/28 ; H01L21/70
摘要：
A thin film resistor and method of making employs tungsten or tungsten titanium alloy as an alectrically conductive diffusion barrier between the nickel chromium resistor and the gold conductor. A solution of cupric sulfate, ammonium hydroxide, glycerol and deionized water is used to remove the unwanted diffusion barrier without damaging the thin film resistor materials, thereby preserving precision resistance values.
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