MOS TRANSISTOR PROCESS

发明申请

US20130330898A1 MOS TRANSISTOR PROCESS 有权

标题翻译： MOS晶体管工艺

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专利标题： MOS TRANSISTOR PROCESS
专利标题（中）： MOS晶体管工艺
申请号： US13494016

申请日： 2012-06-12
公开(公告)号： US20130330898A1

公开(公告)日： 2013-12-12
发明人: Chin-I Liao , Chin-Cheng Chien
申请人： Chin-I Liao , Chin-Cheng Chien
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336

摘要：

A MOS transistor process includes the following steps. A gate structure is formed on a substrate. A source/drain is formed in the substrate beside the gate structure. After the source/drain is formed, (1) at least a recess is formed in the substrate beside the gate structure. An epitaxial structure is formed in the recess. (2) A cleaning process may be performed to clean the surface of the substrate beside the gate structure. An epitaxial structure is formed in the substrate beside the gate structure.

摘要（中）：

MOS晶体管工艺包括以下步骤。在基板上形成栅极结构。在栅极结构旁边的衬底中形成源极/漏极。在形成源极/漏极之后，（1）在栅极结构旁边的基板中形成至少一个凹部。在凹部中形成外延结构。（2）可以进行清洁处理以清洁栅极结构旁边的基板的表面。在栅极结构旁边的衬底中形成外延结构。

公开/授权文献

US08962433B2 MOS transistor process 公开/授权日：2015-02-24

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的