发明申请
US20120248387A1 P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
有权
P-ALGAN层，其制造方法和III族氮化物半导体发光器件
- 专利标题： P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
- 专利标题（中）： P-ALGAN层，其制造方法和III族氮化物半导体发光器件
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申请号： US13512747申请日： 2010-12-10
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公开(公告)号： US20120248387A1公开(公告)日： 2012-10-04
- 发明人: Yoshikazu Ooshika , Tetsuya Matsuura
- 申请人： Yoshikazu Ooshika , Tetsuya Matsuura
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
- 当前专利权人： DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2009-280963 20091210; JP2010-275128 20101209
- 国际申请： PCT/JP2010/072728 WO 20101210
- 主分类号： H01B1/06
- IPC分类号： H01B1/06
摘要：
The method according to the present invention includes a first step of supplying the Group V source gas at a flow rate B1 (0
公开/授权文献
- US08765222B2 Method of manufacturing a p-AlGaN layer 公开/授权日：2014-07-01
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