发明申请
- 专利标题： STABLE HIGH POWER ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODE
- 专利标题（中）： 稳定的大功率超紫外线发光二极管
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申请号： US13403151申请日： 2012-02-23
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公开(公告)号： US20120145994A1公开(公告)日： 2012-06-14
- 发明人: Vinod ADIVARAHAN , Qhalid Fareed , Asif Khan
- 申请人： Vinod ADIVARAHAN , Qhalid Fareed , Asif Khan
- 申请人地址： US SC Irmo
- 专利权人： Nitek, Inc
- 当前专利权人： Nitek, Inc
- 当前专利权人地址： US SC Irmo
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L33/32
摘要：
An improved process for forming a UV emitting diode is described. The process includes providing a substrate. A super-lattice is formed directly on the substrate at a temperature of at least 800 to no more than 1,300° C. wherein the super-lattice comprises AlxInyGa1-x-yN wherein 0
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