Method for Fabricating a Non-volatile Memory Device

发明申请

US20120094451A1 Method for Fabricating a Non-volatile Memory Device 失效

标题翻译：制造非易失性存储器件的方法

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专利标题： Method for Fabricating a Non-volatile Memory Device
专利标题（中）： 制造非易失性存储器件的方法
申请号： US13338048

申请日： 2011-12-27
公开(公告)号： US20120094451A1

公开(公告)日： 2012-04-19
发明人: Young Ok HONG , Myung Shik LEE
申请人： Young Ok HONG , Myung Shik LEE
申请人地址： KR Icheon-si
专利权人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
当前专利权人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
当前专利权人地址： KR Icheon-si
优先权： KR10-2007-0102298 20071010
主分类号： H01L21/8239
IPC分类号： H01L21/8239

摘要：

A method for fabricating a non-volatile memory device with asymmetric source/drain junctions, wherein a gate stack is formed on a semiconductor substrate, and impurity ions are implanted at a predetermined angle to form a source/drain junction in the semiconductor substrate. Thermal treatment of the semiconductor substrate forms an asymmetrically disposed source/drain junction between adjacent gate stacks.

摘要（中）：

一种用于制造具有不对称源极/漏极结的非易失性存储器件的方法，其中在半导体衬底上形成栅极堆叠，并且以预定角度注入杂质离子以在半导体衬底中形成源极/漏极结。半导体衬底的热处理在相邻栅极叠层之间形成不对称设置的源极/漏极结。

公开/授权文献

US08377782B2 Method for fabricating a non-volatile memory device 公开/授权日：2013-02-19

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构