发明申请
US20120091576A1 UNDER-BUMP METALLIZATION (UBM) STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
有权
底层金属化（UBM）结构及其形成方法
- 专利标题： UNDER-BUMP METALLIZATION (UBM) STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
- 专利标题（中）： 底层金属化（UBM）结构及其形成方法
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申请号： US13009377申请日： 2011-01-19
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公开(公告)号： US20120091576A1公开(公告)日： 2012-04-19
- 发明人: Tsung-Fu TSAI , Yian-Liang KUO , Chih-Horng CHANG
- 申请人： Tsung-Fu TSAI , Yian-Liang KUO , Chih-Horng CHANG
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/768
摘要：
An under-bump metallization (UBM) structure in a semiconductor device includes a copper layer, a nickel layer, and a Cu—Ni—Sn intermetallic compound (IMC) layer between the copper layer and the nickel layer.
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