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发明申请
US20090325382A1 BEVEL ETCHER AND THE RELATED METHOD OF FLATTENING A WAFER 有权
水平蚀刻器和相关的平铺方法

  • 专利标题： BEVEL ETCHER AND THE RELATED METHOD OF FLATTENING A WAFER
  • 专利标题（中）： 水平蚀刻器和相关的平铺方法
  • 申请号： US12164109
    申请日： 2008-06-30
  • 公开(公告)号： US20090325382A1
    公开(公告)日： 2009-12-31
  • 发明人: Tai-Heng Yu , Chih-Yueh Li
  • 申请人： Tai-Heng Yu , Chih-Yueh Li
  • 主分类号： H01L21/306
  • IPC分类号： H01L21/306 ;  H01L21/308
BEVEL ETCHER AND THE RELATED METHOD OF FLATTENING A WAFER
摘要：
The wafer bevel etching apparatus of the present invention includes a wafer-protecting mask to cover parts of a wafer. A central region and a wafer bevel region surrounding the central region are defined on the wafer. The wafer-protecting mask includes a center sheltering region and at least one wafer bevel sheltering region. The center sheltering region can completely shelter the central region of the wafer, and the wafer bevel sheltering region extends from the outside edge of the center sheltering region, shelters parts of the wafer bevel region, and exposes the other parts of the wafer bevel region.
摘要（中）：

本发明的晶片斜面蚀刻装置包括用于覆盖晶片的部分的晶片保护掩模。 在晶片上限定了围绕中心区域的中心区域和晶片斜面区域。 晶片保护掩模包括中心遮蔽区域和至少一个晶片斜面遮蔽区域。 中心遮蔽区可以完全遮蔽晶片的中心区域，并且晶片斜面遮蔽区域从中心遮蔽区域的外边缘延伸，晶片斜面区域的遮蔽部分露出晶片斜面区域的其他部分。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
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