传统上，已经报道了溶胶 - 凝胶硅酸盐在400℃下是高温可加工的，以产生相当致密的膜，其表现出良好的漏电流密度（<5×10 -8 -8 A / cm 2 / >）。 最近我们已经发现，我们能够从135℃至250℃固化的溶胶 - 凝胶硅酸盐前体的特定组合制备薄膜，并提供良好的漏电流密度值（9×10 -9 -9） A / cm 2至1×10 -10 A / cm 2），尽管处理温度降低。 这些是在较低温度下固化的硅酸盐的一些例子，其中泄漏电流密度足够低以用作柔性或轻质薄膜晶体管的低温处理或可加工或可印刷的栅极电介质。 这些制剂也可用于薄膜晶体管和其它电子器件的不锈钢箔的平面化。