发明申请
US20060203871A1 Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
审中-公开
氮化物半导体发光器件及其制造方法
- 专利标题： Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
- 专利标题（中）： 氮化物半导体发光器件及其制造方法
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申请号： US11371249申请日： 2006-03-09
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公开(公告)号： US20060203871A1公开(公告)日： 2006-09-14
- 发明人: Tetsuzo Ueda , Satoshi Nakazawa , Toshiyuki Takizawa
- 申请人： Tetsuzo Ueda , Satoshi Nakazawa , Toshiyuki Takizawa
- 专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 优先权： JP2005-067002 20050310
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00
摘要：
A nitride semiconductor light emitting device includes: an active layer formed of a first III-V nitride semiconductor, the active layer having opposite surfaces which face each other; an alloy crystal layer formed of InxAlyGa1-x-yN (0
公开/授权文献
- US2595240A Rest structure with adjustable back 公开/授权日：1952-05-06
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