- 专利标题： Method for transfer of a thin layer of silicon
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申请号： US16420637申请日： 2019-05-23
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公开(公告)号： US10818540B2公开(公告)日： 2020-10-27
- 发明人: Gaurab Samanta , Salvador Zepeda
- 申请人： GlobalWafers Co. Ltd.
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 当前专利权人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Armstrong Teasdale LLP
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76 ; H01L21/762
摘要：
A method for preparing semiconductor on insulator structures comprises transferring a thin layer of silicon from a donor substrate onto a handle substrate.
公开/授权文献
- US20190378753A1 METHOD FOR TRANSFER OF A THIN LAYER OF SILICON 公开/授权日：2019-12-12
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