Utility Model
- Patent Title: 利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器
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Application No.: CN202020651206.1Application Date: 2020-04-26
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Publication No.: CN212514974UPublication Date: 2021-02-09
- Inventor: 张登伟 , 梁璀
- Applicant: 浙江大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Assignee: 浙江大学
- Current Assignee: 浙江大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Agency: 杭州求是专利事务所有限公司
- Agent 郑海峰
- Main IPC: G01R33/032
- IPC: G01R33/032 ; G01D5/353 ; G01R33/00 ; B29C64/135 ; B33Y10/00 ; B33Y80/00

Abstract:
本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器,包含入射单模光纤、双Y分支微结构和出射单模光纤;双Y分支微结构直接打印在入射单模光纤一端面和出射单模光纤一端面上,双Y分支微结构包括参考臂和测量臂,测量臂内包含有一段空心微腔体和微流通道用于填充磁流体材料。测量臂中导模的有效折射率与磁流体折射率密切相关,导致通过参考臂和测量臂上的传播光在公共端干涉后产生较大的相位差,干涉后的光谱由于参考臂和测量臂有效折射率不同而产生周期性的变化,当外界磁场变化时,干涉后光谱的谷产生漂移,通过测量该漂移可以实现对磁场的测量。该传感器具有体积小、灵敏度高、耐腐蚀等明显优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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