实用新型
- 专利标题: 一种光诱导场致发射阴极电子发射装置
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申请号: CN201821895948.8申请日: 2018-11-16
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公开(公告)号: CN209912832U公开(公告)日: 2020-01-07
- 发明人: 李建 , 童洪辉 , 王坤 , 但敏 , 金凡亚
- 申请人: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
- 申请人地址: 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
- 专利权人: 核工业西南物理研究院,成都理工大学工程技术学院
- 当前专利权人: 核工业西南物理研究院,成都理工大学工程技术学院
- 当前专利权人地址: 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
- 代理机构: 核工业专利中心
- 代理商 高安娜
- 主分类号: H01J1/304
- IPC分类号: H01J1/304 ; H01J1/34
摘要:
本实用新型涉及电子发射装置领域,具体涉及一种光诱导场致发射阴极电子发射装置。本装置包括阴极、阳极、发光器件、光学组件、直流高压电源,阴极与阳极连接到高压直流电源;阴极与阳极平行,都垂直于水平线,阴极表面为的薄膜材料覆盖,在单色光作用下,阴极上的薄膜材料表面内电子获得光子的能量而产生自由载流子吸收、晶格吸收或激子吸收产生较高能量电子。本装置在不影响阴极电子发射装置微型化的基础上,有效地提高场致发射阴极电子源的发射电子的电流密度,同时有效降低场致电子发射对电源的要求,并且可实现表面优异的电子发射特性和优异的导电性能的结合,进而获得优异的场致发射特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利