实用新型
- 专利标题： 一种屏蔽栅功率MOSFET器件
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申请号： CN201821288168.7申请日： 2018-08-10
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公开(公告)号： CN208489191U公开(公告)日： 2019-02-12
- 发明人: 朱袁正 , 叶鹏 , 刘晶晶
- 申请人： 无锡新洁能股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
- 专利权人： 无锡新洁能股份有限公司
- 当前专利权人： 无锡新洁能股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
- 代理机构： 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 曹祖良
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L21/8234
摘要：
本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，包括有源区，有源区内包括元胞单元和虚拟元胞单元，虚拟元胞单元在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽，在第一类型沟槽内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅、厚氧化层、位于虚拟屏蔽栅多晶硅上部两侧的虚拟栅极多晶硅及虚拟栅氧化层；在第一类型沟槽上依次覆盖有绝缘介质层、源极金属，源极金属通过绝缘介质层内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅、虚拟栅极多晶硅电连接；本实用新型通过在有源区引入虚拟栅元胞结构，减小了栅极和源极的交叠面积，使得输入电容Ciss和米勒电容Crss降低，进而大幅度降低开关损耗，工艺简单，成本低，市场竞争力更强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
IPC分类:
