- 专利标题: EUV光源、EVU曝光装置、及半导体元件的制造方法
- 专利标题(英): EUV light source, EUV exposure system, and production method for semiconductor device
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申请号: CN200580020398.4申请日: 2005-06-22
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公开(公告)号: CN1973357B公开(公告)日: 2011-04-20
- 发明人: 白石雅之
- 申请人: 株式会社尼康
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社尼康
- 当前专利权人: 株式会社尼康
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁
- 优先权: 186132/2004 2004.06.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/012007 2005.06.22
- 国际公布: WO2006/006408 JA 2006.01.19
- 进入国家日期: 2006-12-20
- 主分类号: H01L21/027
- IPC分类号: H01L21/027 ; G03F7/20 ; G21K5/02 ; G21K5/08 ; H05G2/00
摘要:
在已加热的贮槽(4)内,收纳有具有Sn的原子数%小于等于15%的组成的Sn-Ga系合金。将已用压力泵加压的Sn合金导入喷嘴(1),并从设置在真空室7内的喷嘴(1)的前端喷出液态Sn合金。从喷嘴(1)所喷出的液态Sn合金因表面张力而形成为球形,而作为靶(2)。由配置在真空室(7)的外部的Nd:YAG激光源(8)产生的激光,在透镜(9)聚光并导入真空室(7)内。将被照射了激光的靶(2)等离子体化,并辐射包含EUV光的光。
公开/授权文献
- CN1973357A EUV光源、EVU曝光装置、及半导体元件的制造方法 公开/授权日:2007-05-30
IPC分类: