EUV光源、EVU曝光装置、及半导体元件的制造方法
摘要:
在已加热的贮槽(4)内,收纳有具有Sn的原子数%小于等于15%的组成的Sn-Ga系合金。将已用压力泵加压的Sn合金导入喷嘴(1),并从设置在真空室7内的喷嘴(1)的前端喷出液态Sn合金。从喷嘴(1)所喷出的液态Sn合金因表面张力而形成为球形,而作为靶(2)。由配置在真空室(7)的外部的Nd:YAG激光源(8)产生的激光,在透镜(9)聚光并导入真空室(7)内。将被照射了激光的靶(2)等离子体化,并辐射包含EUV光的光。
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