CMOS影像感测组件的制作方法

Invention Publication

CN1953158A CMOS影像感测组件的制作方法有权转让

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Patent Title: CMOS影像感测组件的制作方法
Patent Title (English): Method for fabricating cmos image sensor
Application No.: CN200610108978.5

Application Date: 2006-07-31
Publication No.: CN1953158A

Publication Date: 2007-04-25
Inventor: 陈经纬 , 谢志成 , 黄建章
Applicant: 原相科技股份有限公司
Applicant Address: 台湾省新竹科学工业园区
Assignee: 原相科技股份有限公司
Current Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee Address: 韩国京畿道
Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
Agent 田野
Priority: 11/163,472 2005.10.20 US
Main IPC: H01L21/822
IPC: H01L21/822

Abstract:

一种具有栓固式光二极管CMOS影像感测组件的制作方法，包含提供第一导电型半导体基材，其具有一掺杂阱；于掺杂阱上形成栅极；进行自我对准离子注入工艺，于半导体基材的光感应区内形成第二导电型二极管掺杂区；进行斜角度离子注入工艺，于半导体基材内形成第二导电型口袋掺杂区；于栅极侧壁上形成侧壁子；在二极管掺杂区内形成第一导电型表面栓固掺杂层，表面栓固掺杂层、二极管掺杂区、口袋掺杂区与半导体基材构成一栓固光二极管组态。

Public/Granted literature

CN100421235C CMOS影像感测组件的制作方法 Public/Granted day:2008-09-24

Information query

Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）