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发明授权
CN1949589B 半模基片集成波导环形电桥 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 半模基片集成波导环形电桥
  • 专利标题（英）： Half module substrate integrated wave guide ring electric bridge
  • 申请号： CN200610088313.2
    申请日： 2006-07-10
  • 公开(公告)号： CN1949589B
    公开(公告)日： 2010-05-12
  • 发明人: 洪伟 , 刘冰 , 张彦
  • 申请人： 东南大学
  • 申请人地址： 江苏省南京市四牌楼2号
  • 专利权人： 东南大学
  • 当前专利权人： 东南大学
  • 当前专利权人地址： 江苏省南京市四牌楼2号
  • 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
  • 代理商 叶连生
  • 主分类号： H01P5/12
  • IPC分类号： H01P5/12
半模基片集成波导环形电桥
摘要：
半模基片集成波导环形电桥涉及一种毫米波与微波器件，尤其涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)环形电桥，该环形电桥是在介质基片(1)的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的，在介质基片(1)的正面设有1个由正面金属贴片构成的环形半模基片集成波导(4)，第一端口(41)、第二端口(42)、第三端口(43)、第四端口(44)并联在环形半模基片集成波导(4)上，将整个环分成四段，在正面金属贴片与背面金属贴片之间通过介质基片(1)设有金属化通孔(3)。环形半模基片集成波导(4)的全长为工作频率对应的导波波长的1.5+2*n倍，其中n为非负整数。该环形电桥尺寸小、损耗低、成本低、易集成、性能好。
摘要（英）：

The invention is a half-mode substrate integrated waveguide (HMSIW) annular bridge, relating to a millimeter wave and microwave device, especially relating to a HMSIW annular bridge, composed of metalpatches arranged on the right and reverse sides of a medium substrate, where the right side of the medium substrate is equipped with an annular HMSIW composed of metal patch, and first port, second port, third port, and fourth port connected in parallel with the annular HMSIW to divide the whole ring into four segments, and a metallized through hole runs through the medium substrate between the two metal patches. The overall length of the annular HMSIW is 1.5+2*n times as large as the corresponding waveguide wavelength to operating frequency, where n is a non-negative integer. And the annularbridge has characters of small size, low loss, low cost, easy integration, and good performance.

公开/授权文献
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