发明授权
CN1949421B 薄膜电容器的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 薄膜电容器的制造方法
- 专利标题(英): Method of manufacturing thin flim capacitor
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申请号: CN200610140045.4申请日: 2006-10-11
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公开(公告)号: CN1949421B公开(公告)日: 2010-12-01
- 发明人: 高旼志 , 郑栗教 , 朴殷台
- 申请人: 三星电机株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电机株式会社
- 当前专利权人: 三星电机株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李伟
- 优先权: 10-2005-0095957 2005.10.12 KR
- 主分类号: H01G4/33
- IPC分类号: H01G4/33 ; C23C26/00 ; C23C28/00 ; H01G4/12 ; H05K1/16 ; H05K3/46
摘要:
一种薄膜电容器的制造方法,包括以下步骤:对金属箔执行再结晶热处理;在再结晶的金属箔的顶面上形成介电层;对金属箔和介电层执行热处理;以及在热处理过的介电层的顶面上形成上电极。再结晶热处理防止金属箔氧化,这样,可以以高温对介电层执行热处理,从而改善薄膜电容器的电特性和产品的可靠性。
公开/授权文献
- CN1949421A 薄膜电容器的制造方法以及具有嵌入其中的薄膜电容器的印刷电路板 公开/授权日:2007-04-18