发明授权
- 专利标题: 半导体光电化学电池单元的制造方法及该电池单元
- 专利标题(英): Manufacturing method for semiconductor photoelectrochemical cell and semiconductor photoelectrochemical cell
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申请号: CN200610104214.9申请日: 2006-08-01
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公开(公告)号: CN1912171B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 中川善典 , 和田精久
- 申请人: 中川善典
- 申请人地址: 日本奈良县
- 专利权人: 中川善典
- 当前专利权人: 株式会社齿健
- 当前专利权人地址: 日本奈良县
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 苗堃; 刘继富
- 优先权: 2005-231668 2005.08.10 JP
- 主分类号: C23C8/10
- IPC分类号: C23C8/10 ; H01L31/18 ; H01L31/04 ; H01L31/0224 ; H01M14/00
摘要:
半导体光电化学电池单元的制造方法,其是将含有钛或钛合金的基材,在700~1000℃的大气中,以5℃/秒或更高的升温速度进行煅烧,在表面形成氧化钛层,使金属钛混杂于氧化钛层中。
公开/授权文献
- CN1912171A 半导体光电化学电池单元的制造方法及该电池单元 公开/授权日:2007-02-14
IPC分类: