发明授权
- 专利标题: 对磁场敏感的传感器装置
- 专利标题(英): Magnetic-field-sensitive sensor arrangement
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申请号: CN200480035960.6申请日: 2004-11-25
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公开(公告)号: CN1890576B公开(公告)日: 2010-09-01
- 发明人: R·布赫霍尔德 , M·德谢尔 , S·布茨曼
- 申请人: NXP股份有限公司
- 申请人地址: 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人: NXP股份有限公司
- 当前专利权人: 荷兰艾恩德霍芬
- 当前专利权人地址: 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权: 03104536.2 2003.12.04 EP
- 国际申请: PCT/IB2004/052546 2004.11.25
- 国际公布: WO2005/054887 EN 2005.06.16
- 进入国家日期: 2006-06-02
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09 ; G01N27/74
摘要:
一种对磁场敏感的传感器装置,包括:-第一导体装置,具有至少两个半桥,每个半桥具有至少两个桥式支路,其中至少一个桥式支路包含对磁场敏感的半导体单元,该传感器装置提供取决于在至少一个半桥的位置上的磁场分量的磁场强度的测量信号,这被称为测量场并且它对准传感器装置的测量方向,以及-形成具有自己的磁场强度数值的测量场的装置,该测量场取决于至少部分地包围传感器装置的介质的导磁率,由此该测量信号是介质的导磁率的度量。因此提供了用于测量影响磁场的介质的简单的传感器装置。
公开/授权文献
- CN1890576A 对磁场敏感的传感器装置 公开/授权日:2007-01-03