发明公开
CN1828274A F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置
- 专利标题（英）： Plasma processing method and apparatus, and method for measuring a density of fluorine in plasma
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申请号： CN200610007747.5申请日： 2006-02-20
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公开(公告)号： CN1828274A公开(公告)日： 2006-09-06
- 发明人: 本田昌伸
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国东京都
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2005－055620 2005.03.01 JP
- 主分类号： G01N21/63
- IPC分类号： G01N21/63 ; H01L21/00 ; H05H1/46
摘要：
本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中F密度的方法。本方法是对处理容器(10)内容纳的被处理体(W)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)的等离子体中F密度进行测量的方法，其使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体(W)表面的F游离基发光强度[F*]和惰性气体发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。
公开/授权文献
- CN1828274B F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置 公开/授权日：2010-05-12
