发明授权
- 专利标题: 改善隔离的双波段功率放大器
- 专利标题(英): Dual band power amplifier with improved isolation
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申请号: CN200480009807.6申请日: 2004-02-10
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公开(公告)号: CN1774858B公开(公告)日: 2010-04-14
- 发明人: 托马斯·A·温斯洛 , 赵新建
- 申请人: M/A-COM技术解决方案控股股份有限公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: M/A-COM技术解决方案控股股份有限公司
- 当前专利权人: 科巴姆防御电子系统公司,申请人
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 郭定辉; 黄小临
- 优先权: 10/366,062 2003.02.12 US
- 国际申请: PCT/US2004/003756 2004.02.10
- 国际公布: WO2004/075400 EN 2004.09.02
- 进入国家日期: 2005-10-12
- 主分类号: H03F3/60
- IPC分类号: H03F3/60
摘要:
本发明是具有优秀的波段间隔离和小底座的双波段功率放大器。在低波段功率放大器输出端的改善了二次和四次谐波的陷波器(trap)包括与电感串联放置的旁路到地的第一电容,最好由预定长度的传输线形成的电感,以及连接在传输线电感中间点与地之间形成的第二电容构成。通过进一步地在两个功率放大器的输出之间构成的一个接地环路可以额外地增加波段间的隔离。通过使低波段功率放大器输出打线周围生成的磁场主要在接地环路中形成循环电流,而不是耦合进高波段功率放大器的输出焊线,接地环路进一步隔离了高波段放大器和低波段放大器。
公开/授权文献
- CN1774858A 改善隔离的双波段功率放大器 公开/授权日:2006-05-17