• 专利标题: 用于探测半导体电路中的未使用状态的方法和设备
  • 专利标题(英): Method and apparatus for detecting an unused state in a semiconductor circuit
  • 申请号: CN200380108345.9
    申请日: 2003-12-29
  • 公开(公告)号: CN1754101B
    公开(公告)日: 2011-06-15
  • 发明人: S·C·霍尔默
  • 申请人: 恩莫辛美国有限公司
  • 申请人地址: 美国加利福尼亚州
  • 专利权人: 恩莫辛美国有限公司
  • 当前专利权人: 恩莫辛美国有限公司
  • 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
  • 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 杨凯; 梁永
  • 优先权: 10/339,218 2003.01.09 US
  • 国际申请: PCT/US2003/041590 2003.12.29
  • 国际公布: WO2004/063756 EN 2004.07.29
  • 进入国家日期: 2005-07-06
  • 主分类号: G06F11/22
  • IPC分类号: G06F11/22
用于探测半导体电路中的未使用状态的方法和设备
摘要:
本发明揭示了一种用于探测半导体电路未用状态的未用状态探测电路。当未用状态探测电路没有被永久清零时,一个半导体电路是“未被使用”的。当一个半导体电路第一次加电时,未用状态探测电路将会探测此半导体电路以前没有“被使用过”,并自动激活启动程序或测试程序(或两者都进行)。在此半导体电路被使用过后,未用状态探测电路将提供说明本半导体电路不再是未经使用过的一个指示。未用状态探测电路利用专用非易失性存储器阵列的状态或半导体电路中通用非易失性存储器部分的专用区域的状态来探测此半导体电路是否以前未被使用。
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