发明授权
- 专利标题: 用于平面溅镀的二维磁电管扫描
- 专利标题(英): Two dimensional magnetron scanning for planar sputtering
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申请号: CN200510004072.4申请日: 2005-01-07
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公开(公告)号: CN1676662B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 阿维·泰奥曼
- 申请人: 应用材料股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料股份有限公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陆嘉
- 优先权: 60/534,952 2004.01.07 US; 10/863,152 2004.06.07 US
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
现提供一种置于一矩形靶材后方的矩形磁电管,其可增强一配设用以将靶材材料溅镀于一矩形面板上的溅镀反应器中的等离子体。该磁电管尺寸仅略小于靶材,而且它是以该靶材(具扫描长度,例如2m靶材的扫描长度即为100mm)的两垂直方向作扫描。该扫描可依循一双Z字形图案沿两平行一靶材侧及两连接的对角线的路线进行。该磁电管包括一封闭等离子体回路,而该等离子体回路是呈回旋形式,例如具有一几乎固定宽度且沿一单一路径延伸的蜿蜒式或矩形螺旋式内磁极,且该内磁极具有一磁性,并且完全由具有相反磁性的外磁极所环绕。
公开/授权文献
- CN1676662A 用于平面溅镀的二维磁电管扫描 公开/授权日:2005-10-05
IPC分类: