Invention Publication
- Patent Title: 防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物
- Patent Title (English): Process for preventing development defect and composition for use in the same
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Application No.: CN03813936.7Application Date: 2003-06-10
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Publication No.: CN1662854APublication Date: 2005-08-31
- Inventor: 秋山靖 , 高野佑辅 , 高桥清久 , 洪圣恩 , 冈安哲雄
- Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
- Applicant Address: 日本国东京都
- Assignee: AZ电子材料(日本)株式会社
- Current Assignee: 默克专利有限公司
- Current Assignee Address: 日本国东京都
- Agency: 北京三幸商标专利事务所
- Agent 刘激扬
- Priority: 181127/2002 2002.06.21 JP
- International Application: PCT/JP2003/007354 2003.06.10
- International Announcement: WO2004/001510 JA 2003.12.31
- Date entered country: 2004-12-15
- Main IPC: G03F7/38
- IPC: G03F7/38 ; G03F7/11 ; H01L21/027

Abstract:
一种防止显影缺陷的组合物,其包含(1)C4-15全氟烷基羧酸、C4-10全氟烷基磺酸或全氟己二酸与铵、四烷基铵或C1-4烷醇胺的盐或(2)无机酸与全氟烷基季铵盐的盐,其中酸/碱当量比为1/1到1/3。该组合物被施覆到形成于直径为8英寸或更大基底上的正型化学增强光致抗蚀剂膜上。在涂覆防止显影缺陷组合物之前或之后,烘干化学增强光致抗蚀剂膜。将该光致抗蚀剂膜进行曝光和后曝光烘干,然后显影。因此,通过显影光致抗蚀剂膜厚的减少比未施覆防止显影缺陷组合物的情况增大了100-600埃。在直径为8英寸或更大基底上的显影缺陷减少了,形成了无T顶等的具有令人满意的截面形状的抗蚀图形。
Public/Granted literature
- CN100461005C 防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物 Public/Granted day:2009-02-11
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IPC分类: