发明授权
- 专利标题： 半导体存储设备
- 专利标题（英）： Semiconductor memory device
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申请号： CN200410090339.1申请日： 2004-10-09
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公开(公告)号： CN1612265B公开(公告)日： 2010-05-12
- 发明人: 越川康二
- 申请人： 尔必达存储器股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 尔必达存储器股份有限公司
- 当前专利权人： PS4拉斯口有限责任公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 朱进桂
- 优先权： 2003-351250 2003.10.09 JP
- 主分类号： G11C11/401
- IPC分类号： G11C11/401 ; G11C11/406
摘要：
本发明提供了一种具有以阵列形式排列的存储单元的半导体存储设备，其中失效单元的刷新周期比正常存储单元短，所述半导体存储设备包括：计数器，用于根据控制信号来更新内部行地址，其中根据用于进行存储单元刷新的刷新命令来产生控制信号；刷新冗余ROM，具有以矩阵形式排列的多个开关和熔丝，以及判断电路，其中不熔断多个熔丝中与具有较差刷新特性的存储单元的内部行地址相对应的熔丝；以及行预译码器，其中当行预译码器接收到计数器产生的内部行地址时，如果行预译码器接收到来自判断电路的、表示没有熔断与存储单元的内部行地址相对应的熔丝的符合信号，则行预译码器将计数器产生的内部行地址的最高有效位设置为指定的数据。
公开/授权文献
- CN1612265A 半导体存储设备及其制造方法 公开/授权日：2005-05-04
