发明公开
CN1573936A 磁头线圈系统及其嵌埋/反应离子刻蚀方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 磁头线圈系统及其嵌埋/反应离子刻蚀方法
- 专利标题(英): Magnetic head coil system and damascene/reactive ion etching method for manufacturing the same
-
申请号: CN200410059318.3申请日: 2004-06-15
-
公开(公告)号: CN1573936A公开(公告)日: 2005-02-02
- 发明人: 丹尼尔·W·贝德尔 , 理查德·萨伊奥 , 詹姆斯·D·加拉特 , 帕特里克·R·韦布 , 张思扬
- 申请人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰阿姆斯特丹
- 专利权人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 当前专利权人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰阿姆斯特丹
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 付建军
- 优先权: 10/602,462 2003.06.23 US
- 主分类号: G11B5/127
- IPC分类号: G11B5/127 ; G11B5/17
摘要:
本发明提供一种制造磁头的线圈结构的系统和方法。最初淀积绝缘层,在绝缘层上淀积光致抗蚀剂层。此外,将硅电介质层淀积在光致抗蚀剂层上,作为硬掩模。接着,将硅电介质层遮蔽。随后,利用反应离子刻蚀(即,CF4/CHF3)在硅电介质层中形成多个沟槽。接着,使用硅电介质层作为硬掩模,利用,例如,H2/N2/CH3F/C2H4还原化学的反应离子刻蚀,将沟槽图案转移到光致抗蚀剂层上。为了得到具有所需纵横比的最优沟槽轮廓,沟槽形成包括形成第一角度的第一片段和形成第二角度的第二片段。此后,将导电种子层淀积在沟槽中,沟槽充满导电材料以形成线圈结构。接着,可以使用化学机械抛光使导电材料平面化。
公开/授权文献
- CN100468519C 磁头线圈系统及其嵌埋/反应离子刻蚀方法 公开/授权日:2009-03-11
IPC分类: