本发明提供具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷和其制造方法。金属Si粉末与烧结添加剂混合，随后热处理，这是一种用于形成特定晶粒边界相的预工艺。然后通过在1000℃或更多的温度下微波加热而进行二步热处理。金属Si粉末然后从其表面进行氮化反应，金属Si随后扩散到在金属Si的外壳上形成的氮化物，这样可得到具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷。因为本发明多孔氮化硅陶瓷具有高闭孔比率并具有优异的电/机械特性，如果它们例如用作需要抗吸湿性，低介电常数，低介电损耗，和机械强度的电子电路板，可以显示出优异的特性。