Invention Grant

半导体装置
Abstract:
一种无Pb焊料连接结构和半导体装置,该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度,获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面,保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是,无Pb焊料的特征在于:作为代表性的无Pb焊料的Sn-Ag-Bi与电极连接,该电极的表面上形成有Sn-Bi层。最好,按照重量百分比计,上述Sn-Bi层中的Bi浓度在1~20%的范围内,以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时,在上述Sn-Bi层的下面形成Cu层,以便获得具有足够高的界面强度的连接部。
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