Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN02128644.2Application Date: 1998-12-09
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Publication No.: CN1298051CPublication Date: 2007-01-31
- Inventor: 下川英惠 , 曾我太佐男 , 奥平弘明 , 石田寿治 , 中冢哲也 , 稻叶吉治 , 西村朝雄
- Applicant: 株式会社日立制作所
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社日立制作所
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 温大鹏; 郑建晖
- Priority: 346811/97 1997.12.16 JP
- The original application number of the division: 988122502
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01B1/02

Abstract:
一种无Pb焊料连接结构和半导体装置,该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度,获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面,保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是,无Pb焊料的特征在于:作为代表性的无Pb焊料的Sn-Ag-Bi与电极连接,该电极的表面上形成有Sn-Bi层。最好,按照重量百分比计,上述Sn-Bi层中的Bi浓度在1~20%的范围内,以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时,在上述Sn-Bi层的下面形成Cu层,以便获得具有足够高的界面强度的连接部。
Public/Granted literature
- CN1505137A 半导体装置 Public/Granted day:2004-06-16
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IPC分类: