发明授权
CN1262489C 用于控制含水体系中水垢形成和沉积的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于控制含水体系中水垢形成和沉积的方法
- 专利标题(英): Method for controlling scale formation and deposition in aqueous systems
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申请号: CN02806631.6申请日: 2002-03-01
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公开(公告)号: CN1262489C公开(公告)日: 2006-07-05
- 发明人: F·陈 , N·A·科尔森 , K·E·比恩特罗 , J·A·凯歇林 , S·M·凯斯勒 , R·C·梅
- 申请人: GE贝茨公司
- 申请人地址: 美国宾夕法尼亚州
- 专利权人: GE贝茨公司
- 当前专利权人: GE贝茨公司
- 当前专利权人地址: 美国宾夕法尼亚州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 卢新华; 马崇德
- 优先权: 09/808,679 2001.03.15 US; 09/878,646 2001.06.11 US
- 国际申请: PCT/US2002/006370 2002.03.01
- 国际公布: WO2002/079106 EN 2002.10.10
- 进入国家日期: 2003-09-15
- 主分类号: C02F5/10
- IPC分类号: C02F5/10 ; C08F216/14
摘要:
可用于抑制含水体系中生成水垢的部分的形成和沉积的新型水溶性或者水分散性聚合物,其包含特征在于具有通式I的重复单元:R1|*——[-E-]c-**-[-CH2-C-]d-**-[-F-]e-*|G|O|R2|XZ。其中E是烯属不饱和化合物聚合后保留的重复单元,优选羧酸、磺酸、膦酸或者其酰胺形式或者其混合物。R1是H或者低级(C1-C4)烷基。G是-CH2-或-CHCH3-;R2是-(-CH2-CH2-O)n-或-(-CH2-CHCH3-O)m-,其中n和m为大约1-100,优选n大于10和m为大约1-20。X是阴离子基团,选自SO3、PO3或者COO;Z是H或者氢或者任何水溶性阳离子部分,其平衡阴离子基团X的化合价,包括但是不局限于Na、K、Ca或者NH4。当F存在时,其是具有通式II结构的重复单元:R4|*-[-CH2-C-]-*|CH2|O|R5|XZ,其中X和Z与在通式I中相同。R4是H或者低级(C1-C4)烷基。R5是羟基取代的烷基或者亚烷基,其具有大约1到6个碳原子。
公开/授权文献
- CN1496338A 用于控制含水体系中水垢形成和沉积的方法 公开/授权日:2004-05-12
IPC分类: