发明授权
CN1236657C 等离子体处理装置和等离子体处理方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 等离子体处理装置和等离子体处理方法
- 专利标题(英): Plasma process apparatus and method
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申请号: CN03110402.9申请日: 2003-04-09
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公开(公告)号: CN1236657C公开(公告)日: 2006-01-11
- 发明人: 山本直子 , 山本達志 , 平山昌树 , 大見忠弘
- 申请人: 夏普株式会社 , 大见忠弘
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 夏普株式会社,大见忠弘
- 当前专利权人: 夏普株式会社,大见忠弘
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 李玲
- 优先权: 2002-106744 2002.04.09 JP
- 主分类号: H05H1/46
- IPC分类号: H05H1/46 ; H01L21/3065
摘要:
披露了在不需要增加功率电源所需输出条件下能够改善等离子体处理均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括:使用等离子体进行处理的处理腔室(1,2);和三个或更多个电磁波引入部件(4a至4d、5a至5d、6a至6d、15),它连接着处理腔室(1,2),将电磁波引入到处理腔室,使得提供给处理腔室的反应气体进入等离子体状态,其特征在于:对位于接近所述处理腔室(1,2)区域内的所述三个或更多个电磁波引入部件(4a至4d、5a至5d、6a至6d、15)的每两个相邻部件的组合来说,在形成一个所述组合的两个相邻电磁波引入部件之间的距离(X1,Y1)不同于在形成另一个所述组合的两个相邻电磁波引入部件之间的距离(X2,Y2)。
公开/授权文献
- CN1450847A 等离子体处理装置和等离子体处理方法 公开/授权日:2003-10-22
IPC分类: