发明公开
CN1213863A 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Nitrided gallium III-V group compound semiconductor device and its mfg.method
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申请号： CN98118311.5申请日： 1994-04-28
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公开(公告)号： CN1213863A公开(公告)日： 1999-04-14
- 发明人: 中村修二 , 山田孝夫 , 妹尾雅之 , 山田元量 , 板东完治
- 申请人： 日亚化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本德岛县
- 专利权人： 日亚化学工业株式会社
- 当前专利权人： 日亚化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本德岛县
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 124890/93 1993.04.28 JP; 129313/93 1993.05.31 JP; 207274/93 1993.07.28 JP; 234684/93 1993.09.21 JP; 234685/93 1993.09.21 JP; 253171/93 1993.10.08 JP; 008726/94 1994.01.28 JP; 008727/94 1994.01.28 JP
- 分案原申请号： 941069354
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的叠层结层,以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。
公开/授权文献
- CN1262021C 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2006-06-28
IPC分类:
