发明授权
CN1201401C 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN02107836.X申请日: 2002-03-22
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公开(公告)号: CN1201401C公开(公告)日: 2005-05-11
- 发明人: 小池英敏 , 佐贯朋也
- 申请人: 株式会社东芝
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权: 085882/2001 2001.03.23 JP
- 主分类号: H01L27/108
- IPC分类号: H01L27/108 ; H01L21/70 ; G11C11/40
摘要:
一种沟槽电容器,具备沿着深度方向的3个区域,将绝缘层设置在第1和第2区域的表面上,在3个区域中分别埋入由第1金属氮化物和第1金属组成的部分、由第2金属氮化物和第2金属组成的部分以及由第3金属氮化物和第3金属组成的部分,在半导体衬底中的由第3金属氮化物组成的部分的周围,形成扩散区域。通过用金属形成沟槽电容器的电极的至少一部分,可以降低电极的表面电阻,因为可以缩短由CR延迟引起的信号传播时间,所以可以缩短读出/写入时间。此外,通过形成埋入栅电极,可以实现用DRAM以及DRAM/逻辑电路混合器件求得的单元面积的微细化,栅长度变长,可以降低短沟道效应,由于在栅电极上淀积绝缘保护膜,因而可以自对准形成位线触点。
公开/授权文献
- CN1377091A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2002-10-30
IPC分类: