一种沟槽电容器，具备沿着深度方向的3个区域，将绝缘层设置在第1和第2区域的表面上，在3个区域中分别埋入由第1金属氮化物和第1金属组成的部分、由第2金属氮化物和第2金属组成的部分以及由第3金属氮化物和第3金属组成的部分，在半导体衬底中的由第3金属氮化物组成的部分的周围，形成扩散区域。通过用金属形成沟槽电容器的电极的至少一部分，可以降低电极的表面电阻，因为可以缩短由CR延迟引起的信号传播时间，所以可以缩短读出/写入时间。此外，通过形成埋入栅电极，可以实现用DRAM以及DRAM/逻辑电路混合器件求得的单元面积的微细化，栅长度变长，可以降低短沟道效应，由于在栅电极上淀积绝缘保护膜，因而可以自对准形成位线触点。