Invention Publication
- Patent Title: 图像传感器和制造图像传感器的方法
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Application No.: CN202411532105.1Application Date: 2024-10-30
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Publication No.: CN119521817APublication Date: 2025-02-25
- Inventor: 陈重磊 , 林彦良 , 萧茹雄
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- Agent 章社杲; 李伟
- Priority: 63/594,080 20231030 US 18/444,896 20240219 US
- Main IPC: H10F39/18
- IPC: H10F39/18
Abstract:
本公开实施例提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括衬底和栅电极。栅电极靠近衬底的第一侧设置。栅电极包括第一栅极部分、第二栅极部分和第三栅极部分。第一栅极部分设置在衬底的第一侧上方。第二栅极部分设置在衬底内并且连接至第一栅极部分。第三栅极部分设置在第二栅极部分之下并且连接至第二栅极部分。第一栅极部分的第一宽度大于第二栅极部分的第二宽度，并且第三栅极部分的第三宽度大于第二宽度。
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