本发明属于电磁脉冲抑制器技术领域，具体涉及一种基于等离子体的同轴型S波段强电磁脉冲抑制器，包括外电极、密封窗、内电极、放电极和焊料填充区域，所述密封窗安装在外电极两侧的台阶上，所述密封窗的中心设有开孔，所述内电极同轴固定在密封窗的开孔内，所述放电极焊接在外电极上，所述外电极、密封窗和内电极封闭的密封区域设置有填充气体，所述外电极与密封窗之间设有焊料填充区域。本发明同轴形等离子体脉冲抑制器工作频带在整个S波段，同时在抑制器壳体上采用双重阻抗补偿结构，使整个强电磁脉冲抑制器在很宽的宽频带内插入损耗与驻波比很小，获得了的传统波导型结构的抑制器难以达到的宽带、低插入损耗指标。